Τρεις από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές μνήμης στον πλανήτη, η Hynix, η Micron και η Samsung, ανακοίνωσαν τις τελικές προδιαγραφές για το Hybrid Memory Cube ή αλλιώς 3D DRAM. 

Το νέο αυτό τεχνολογικό επίτευγμα έχει ως κύριο στόχο την αύξηση της απόδοσης μεγάλων υπολογιστικών συστημάτων και γενικότερα συσκευών που είναι συνδεδεμένες σε δίκτυα.

Η νέα γενιά μνήμης DRAM μπορεί να διαχειριστεί bandwidth της τάξεως των 160 GB/s, δηλαδή 15 φορές περισσότερο από μια κανονική DDR3 DRAM μνήμη που διαχειρίζεται μεγέθη των 11 GB/s ενώ η DDR4 μέχρι και 18-20 GB/s.

Και το κερασάκι στην τούρτα είναι πως η 3D DRAM μειώνει την κατανάλωση ενέργειας έως και 70%.

Η μέθοδος κατασκευής της νέας αυτής μνήμης είναι ουσιαστικά μια κατακόρυφη ένωση πολλών ξεχωριστών τμημάτων μνήμης συνδεδεμένα σε έναν ελεγκτή DRAM κάνοντας χρήση μιας μεθόδου εν ονόματι VIA [Vertical Interconnect Access] η οποία επιτρέπει την έλευση ενός ηλεκτρονικού καλωδίου κατά μήκος του wafer.

Η όλη επινόηση οφείλεται στην κοινή συνεισφορά των τριών αυτών εταιρειών, μέσω του Hybrid Memory Cube Consortium, αναμένεται να κυκλοφορήσει στην αγορά το δεύτερο εξάμηνο του 2013 και αρχικά θα υλοποιηθεί με την χρήση chips των 2GB και 4GB.